技术编号：8166302
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明属于硅基光电子器件领域，特别涉及电致发光硅基法布里-珀罗微腔器件结构设计。背景技术 硅基发光器件是集成电路光电集成的关键器件。是否能实现与现有IC工艺兼容、低成本、可实用的硅基发光器件将直接影响到光电集成电路、光学存储和逻辑以及高级显示系统的发展，因此人们一直试图实现完全硅基器件的光致发光和电致发光，以便获得硅基光电子器件领域的应用。例如，近几年发展较快的稀土元素掺杂Si材料(尤其是掺Er硅)；等离子体增强化学气相淀积(PECVD)方法制备的纳米硅、非晶态a-SiH、a-SiNxH、a-SiCxH和a...
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