技术编号：8166718
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及GaN自支撑基板或GaN模板(template)基板的 制备和使用该GaN模板基板制备包括发光二极管、激光二极管 等发光元件或电子元件的G aN系元件的制备方法，尤其涉及通 过使用了金属緩冲层的G a N单晶生长方法来制备高效率发光元 件等元件。背景技术日本的日亚化学、美国的Lumi LED公司在使用了 GaN系化 合物半导体的青色、白色发光二极管(Light Emitting Diodes )、激光二极管的开发和商品化的领域中一直领先。最近，提出了 用于应用到家庭用日光灯、LCD ( Liqui...
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