技术编号：8171579
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域晶体生长装置技术领域[0001]本实用新型涉及一种晶体生长装置，更具体地说，它涉及一种具有流体式热交换器的晶体生长装置。背景技术[0002]参阅图1所示，为传统的晶体生长装置900 ;晶体的生长流程可以概括为加热、熔解、长晶、退火及冷却五个阶段。在熔解阶段，晶体生长装置900通过加热器91对坩埚92 内的硅料93加热，使硅料93完全熔解；在长晶阶段，预先铺设在坩埚92底部内侧面的晶种 94能使熔解的硅料93从晶种94往上定向凝固结晶。晶体生长装置900还包括设置在长晶平台95及坩埚92底部，且位于坩埚92中...
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