技术编号：8174480
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。 相关申请的交叉引用本申请要求于2005年12月2日提交的美国临时申请60/741，701 的权利和优先权，这里通过引用将其全部内容并入本文。政府支持本发明是借助美国政府支持在国家标准技术研究所(NIST)授予 的70NANB4H3051下做出的。美国政府对本发明享有某些权利。背景技术半导体材料在宽范围内表现出可控的光和电性能，例如电导率。 通过使用摻杂剂实现这样的控制，所述掺杂剂是引入半导体材料的晶 格充当电子(负电荷)或空穴(正电荷)源的杂质。可控掺杂使制造 各种各样的半导体器件成为可能，例如发光二极管(LED...
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