技术编号:8175605
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明一般涉及在电子元件制造中使用的硅晶片的制备。更具体地说,本发明涉及一种用于制备低电阻率的砷或磷掺杂(N+/N++)的硅晶片的方 法,在实质上任何任意电子器件的制造工艺的热处理周期期间,该硅晶片 可靠地形成氧沉淀物。背景技术作为用于制造半导体电子元件的多数工艺的起始材料,单晶硅通常用 所谓的切克劳斯基(Cz)法制备而成,在该切克劳斯基法中,将单籽晶浸 入熔融的硅中,然后通过緩慢提拉生长。在被容纳在石英坩埚的时间期间, 熔融的硅被各种杂质污染,这些杂质中主要是氧。在硅熔融块的温度下, 氧i^珪晶格,直到其...
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