技术编号：8175993
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本实用新型是关于一种非金属晶体制造设备中的一个部分，特别涉及一种用于正压晶体生长炉的操作及观察窗口。背景技术晶体生长炉是一种用于人工晶体生长的设备，按照晶体生长氛围压力，可分为负压晶体生长炉、微正压晶体生长炉以及正压晶体生长炉等。正压区熔炉是一种典型的正压单晶硅生长炉，它利用线圈将原料硅棒局部加热熔化，熔区依靠熔硅的表面张力和加热线圈提供的磁托浮力而处于悬浮态，然后从熔区下方利用旋转着的籽晶将熔硅拉制成单晶硅。悬浮区熔时，熔区呈悬浮状态，不与任何物质相接触，因而不会被沾污。此外，由于硅中杂质的分凝效应和蒸发...
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