技术编号:8176202
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及半导体元件的热辐射技术,具体而言,涉及诸如功率FET(场效应管)的高输出半导体元件的热辐射技术。背景技术 在诸如W-CDMA(宽带码分多址)的无线通讯系统中,几百瓦级的功率FET被用于发射无线电波。在功率放大器(其中诸如几百瓦级的功率FET的高输出半导体元件被使用)的设计中,所使用的半导体元件所产生的热的有效辐射就变成了一个很重要的问题。这是因为,如果热辐射不足并且热存储在半导体元件的内部,半导体元件导致电特性的恶化,例如不能获得充分的饱和输出,在一些情况下,半导体元件可能被热所损坏。总之,为了获...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。