技术编号:8176696
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及结晶度良好的大块第ni族氮化物晶体,并涉及在晶体 生长容器内生长该晶体的方法。背景技术通常,第ni族氮化物晶体的生长通过气相方法(如升华)或液相 法(如助熔剂生长(flux growth))进行。作为第in族氮化物晶体的一个 例子,通过升华来生长A1N单晶,这需要超过190(TC的晶体生长温度, 如同在例如美国专利5,858,086、 6,001,748和6,296,956中所描述的。 由于升华需要的高温,所用的晶体生长容器通常为碳质材料如石墨和 热解石墨,以及高熔点金属如钨(W)和钽(Ta)。然...
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