技术编号:8180413
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本实用新型涉及氮化铝晶体生长技术领域,特别涉及一种氮化铝晶体生长的制备炉。背景技术氮化铝晶体本身是一种优良的直接带隙宽禁带化合物半导体材料,具有高击穿场强,高热导率,化学和热稳定性好等优异性能,是非常理想的紫外光电子材料和用于高温,高频和大功率领域的电子材料。同时,氮化铝晶体与氮化镓晶体有非常接近的晶格常数和热膨胀系数,是外延生长氮化镓基光电器件的优选衬底材料,对氮化铝等第三代半导体材料以及器件的研究开发,已经成为半导体领域的一个热点。目前,PVT(物理气相传输法)法是生长氮化铝单晶最常用的方法,其基本过程...
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