技术编号:8181234
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及。更具体地,本发明涉及平坦化表面的。背景技术近年来,人们关心的是半导体器件最终会面临对于该领域的性能提升是指导原则的比例定律的极限。在此情形下,正在开发允许新的操作原则的材料,从而当达到晶体管极限时度过危机。例如,在利用自由电子的自旋程度的自旋电子学领域,对于开发能够在与DRAM (动态随机存取存储器)相同的水平高速运行的高密度非易失存储已经取得了一定的进步。对于强关联电子系统材料的研究也取得了一定的进步,所述强关联电子系统材料不能用作为半导体器件设计基础的能带理论进行描述。已经发现由于电子系统的...
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