技术编号:8181250
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种石墨坩埚及其制造方法,该石墨坩埚用于支承基于切克劳斯基(Czochralski)法(以下,称为“CZ法”。)的硅等的单晶提拉装置中使用的石英坩埚。背景技术1C、LSI等的制造中使用的硅等单晶通常通过CZ法制造。CZ法是如下方法在高纯度的石英坩埚之中放入多晶硅,边以规定速度旋转石英坩埚边通过加热器加热熔融多晶硅,使多晶硅的熔融液的表面与晶种(单晶硅)接触,边使其以规定速度旋转边缓慢提拉,从而使多晶硅的熔融液凝固,使其沉积在单晶硅上。但是,石英坩埚由于在高温下软化、且强度也不充分,因而通常石英坩埚...
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