一种垂直提拉生长碲锌镉单晶的装置和方法技术资料下载

技术编号:8181824

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技术领域本发明涉及,特别适合于制备碲锌镉单晶或类似的高熔点、多组元、易挥发、导热率低的化合物单晶体。背景技术室温碲锌镉核辐射探测器具备碘化钠闪烁体和锗半导体探测器所无法替代的技术优势,使得它在医学成像、硬X射线、高能Y射线的天文学应用中成为近年来研究的热点,特别是在有关宇宙硬X射线辐射的高能量分辨率以及制成的焦平面器件的空间分辨率应用方面具有独特的技术优势。高电阻率、大面积的碲锌镉单晶材料是制备核辐射探测器的基础,然而,由于制备工艺以及材料本身的物理特性的限制,目前制备的碲锌镉单晶中普遍存在大量的镉空位、孪晶等缺陷...
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