技术编号：8181913
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及太阳能电池技术领域，更具体地说，涉及。背景技术单晶硅棒的生产多采用CZ (Czochralski)直拉法，将原料放入单晶炉的坩埚中，之后将原料加热熔化成液体(即为熔体)，当硅熔体的温度稳定后，再将棒状籽晶浸入硅熔体中。由于籽晶与硅熔体接触时的热应力，会使籽晶产生错位，需将籽晶快速向上提，生长一定长度的缩小的细长颈的晶体，以防止籽晶中的错位延伸到晶体中。控制温度与拉速，使晶体的直径增大到所需大小，根据熔体和单晶炉的情况，控制晶体等直径生长到所需长度。在等径部分完成后，如果立刻将晶棒与液面分开，那么热...
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