技术编号:8182296
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及与结晶组合物相关的方法。背景技术金属氮化物基光电器件和电子器件可商业利用。可能期望获得缺陷水平较低的金属氮化物。缺陷可包括器件半导体层中的螺位错。这些螺位错可能源于金属氮化物层与非同质衬底如蓝宝石或碳化硅的晶格失配。缺陷可能源于热膨胀失配、杂质和倾斜边界(tiltboundary),这取决于层生长方法的细节。可能期望获得不同于现有方法的制备和/或金属氮化物的方法。发明内容在一种实施方案中,一种方法可包括在衬底上生长第一结晶组合物。该第一结晶组合物可包含镓和氮。该结晶组合物可具有位于约3175CHT...
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