技术编号：8182530
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明属于激光技术领域，具体涉及一种用于激光等离子体(LPP)极紫外(EUV)光源的液体锡靶发生器，主要用于产生使EUV转换效率高，碎屑污染小且系统稳定的液体锡靶材。背景技术芯片工业一直以来都有一个主题把晶体管尽量做小，把尽可能多的晶体管集成到一起，让芯片的集成度不断提高。芯片工艺所能刻出的最小的尺度主要是由光刻工艺所用光源的光波长决定的。所用的光波长越短，所能达到的尺度越小，所能取得的集成度越高。随着技术的进步，目前传统的最先进的光刻技术也不能满足要求，于是下一代光刻技术一一极紫外(EUV)光刻技术应运而...
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