技术编号:8182614
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及稀磁半导体多晶薄膜的制备领域,尤其涉及。背景技术过渡金属(TM)掺杂ZnO基稀磁半导体是继GaAs后,又一个被外界寄予厚望、兼具导电与自旋特性的化合物半导体材料。T.Dietl等人预测该体系将具有高于室温的居里温度,有望应用在半导体自旋器件中(T.Dietl, H.0hno, F.Matsukura, J.Cibert, andD.Ferrand, Zener Model Description of Ferromagnetism in Zinc-Blende Magnetic Semicondu...
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