技术编号:8182670
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明专利涉及一种晶体连续培养及过滤系统,属于生产过程设备领域。背景技术磷酸二氢钾(KDP)和磷酸二氘钾(DKDP)晶体是一种被广泛使用的非线性水溶液晶体材料,具有很高的激光损伤阈值和较高的非线性系数以及可制作较大尺寸器件等优点,其二倍、三倍、四倍频器件通常用于室温NDYAG激光器和染料激光器中,也是理想的高功率变频材料。近年来,随着惯性约束核聚变(ICF)的迅速发展,对KDP和DKDP晶体的研究在国际上又进入了一个新阶段。尽管新型的非线性光学材料不断涌现,但综合对比晶体的光学性能和生长条件,优质大尺寸的K...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。