技术编号:8185562
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及使GaAs或InP等化合物半导体晶体生长用的,上述GaAs、InP用于微波元件等。人们早就知道使化合物半导体等进行晶体生长的方法有布里兹曼法。由于布里兹曼法可以便宜而且大量地使晶体生长,因此,它是一种不用晶种的方法。详细地说,在没有晶种的生长容器内将Ga和As合成而生成GaAs熔液之后,从生长容器内将要开始生长的一侧(例如生长容器的底部)开始快速降温,使晶体朝着另一侧(例如生长容器的开口部)生长。一般,在生成的晶体中最后生长的区域滞留有杂质,因此,通过使晶体从例如生长容器的底部朝着开口部在一个方向...
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