技术编号:8185565
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种。随着半导体器件的不断发展,用重掺硅单晶片做衬底生长的外延片需求量越来越大。但是用直拉法生长重掺硅单晶,存在着许多与轻掺单晶硅不同的问题。特别是掺杂,它是重掺硅单晶生长的关键技术。重掺硅单晶生长的掺杂一般都采用元素掺杂法。由于硅单晶一直朝着大直径方向发展,单炉投料量越来越大,这使得掺杂量亦越来越大,从几克到几十克甚至几百克都有。而掺杂用的四种杂质(磷、砷、锑和硼)除了硼可以在装料时直接装入外,其余三种元素因为熔点低、挥发性大等原因,不能在装料时直接装入,必须等多晶硅熔化后才能投入。传统的方法是...
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