技术编号:8186049
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域石墨预热片、半导体预热装置、硅芯炉及磷检炉技术领域[0001]本实用新型涉及一种制备半导体的设备及其配件,尤其涉及一种石墨预热片、半导体预热装置、硅芯炉及磷检炉。背景技术[0002]在直拉法或区熔法制备硅芯等半导体材料时,通常需要先将原生多晶硅棒或直拉多晶硅棒等母料进行熔化。目前常用的熔化加热方法是电感应加热,即,用高频线圈进行加热使其熔化。但由于硅为半导体,在常温下不导电,在高频磁场中不会产生涡流,只有将其加热至温度升高到一定值,使硅成为导磁体时,方可产生涡流效应而发热熔化。这种在对母料进行加热升温的过程...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。