技术编号:8192003
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。高纯度铝涂层硬阳极化技术领域本发明大体上关于用于等离子体处理腔室设备中的工具及部件。更具体地说,本发明关于一种用于生产对腐蚀性等离子体环境具有耐受性的等离子体处理腔室部件的方法。背景技术半导体处理涉及数个不同化学及物理工艺,藉此在基板上产生微型集成电路。组成集成电路的材料层通过化学气相沉积、物理气相沉积、外延生长等方法形成。所述材料层中的一些材料层使用光刻胶掩模及湿式或干式蚀刻技术来图案化。用以形成集成电路的基板可为硅、砷化镓、磷化铟、玻璃或其它适当的材料。典型的半导体处理腔室包括界定处理区的腔室主体;气体分配组件...
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