技术编号：8192075
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。本发明涉及通过对硅单晶晶片施加高温热处理而得到退火晶片的制造方法。对硅单晶晶片在高温下施加热处理而得到的退火晶片已被广泛用作制造半导体器件的高质量衬底(substrate)。通常，硅单晶晶片具有被称为空洞(Viod)缺陷的缺陷。本文中，“空洞缺陷”是指在晶体生长过程中因引入的原子水平的空位(vacancy)在硅熔体与晶体之间的界面聚集所造成的缺陷。在“空洞缺陷”中，暴露在硅单晶晶片表面中的被称为C0P(晶体原生颗粒)。通过对硅单晶晶片在高温，例如不小于1100°C下施加热处理可以缩小或消除上述“空洞缺陷”，并且可以...
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