技术编号：8192290
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及氮化物单晶的制造方法及其装置。 背景技术氮化镓系III-V氮化物是受人关注的优良的蓝色发光元件、可实际应用于发光二极管并且预计将用作拾光器的蓝紫色半导体激光元件。在Jpn. J. Appl. Phys. Vol. 42(2003) PP. L879-L881中记载的GaN单晶的生长方法中，将氮化硼坩埚放置在耐压容器内，在氮化硼坩埚中放置III族原料金属Ga和作为助熔剂的Na，耐压容器中供给高压氮气。然后，通过加热和加压在Ga-Na混合熔体中熔解V族的原料氮，在坩埚内的种晶基板上生长GaN单晶。这时...
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