技术编号:8192441
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及硅材料技术领域,尤其涉及。背景技术以重掺硼硅片为衬底的外延片(即P/P+外延结构)能够显著提高动态存储器RAM 的记忆保持时间,同时能解决CMOS集成电路中的闩锁效应(Latch-up effect)。因此,重掺硼直拉硅片被广泛地用作超大规模集成电路(ULSI)用外延片的衬底材料。重掺硼会对直拉硅片的性能产生重要影响。M. Akatsuka,K. Sueoka等人的研究表明,重掺硼可以有效地钉扎直拉硅中的位错,提高硅片的机械强度(MAkatsuka and K. Sueoka, Pinning e...
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