技术编号:8192958
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及半导体红外光电探测器材料生长技术领域,特别是一种InAs/feSb II 类超晶格窄光谱红外光电探测器材料的外延生长方法。背景技术红外探测器在预警、夜视、导弹探测、测温、气体探测、气象、大气监测、医学等军事和民事领域都有广泛的应用。在中波波段传统的碲镉汞探测器(MCT)有优异的探测性能, 已经非常成熟,但随着波长变长,其材料难度急剧增加,在长波甚长波波段遇到挑战。量子阱红外探测器(QWIP)虽然可以实现窄光谱的探测,但QWIP是子带间跃迁,其量子效率较低;另外,QWIP不能吸收正入射的光,需要在器...
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