技术编号：8193378
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种区熔硅单晶的生产方法，特别一种提高区熔硅单晶电阻率均匀性的行波磁场法。背景技术采用气掺法生产区熔硅单晶，其成本要远低于NTD法生产的硅单晶，但是其径向电阻率均匀性也比NTD区熔硅单晶要差，还需要进一步提高。区熔硅单晶径向电阻率均匀性差，主要是因为气掺过程中，掺杂剂通过硅熔体的表面进入硅熔体中，所以硅熔体表面浓度较高，内部浓度较低，因而导致掺杂剂在硅熔体中的分布较不均匀。目前提高均匀性的方法，主要是通过增强硅熔体的对流来达到的。提高区熔气掺硅单晶径向电阻率均匀性的方法主要有下轴正反转法、上轴偏心...
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