技术编号:8193480
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种离子加速器装置。背景技术 离子加速器装置例如可用于表面处理,具体说是可用于半导体技术中或者用作空间导弹的动力。离子主要从中性工作气体产生而用于驱动的动力,特别是从稀有(惰性)气体产生并被加速的。尤其是,已经证明有两种结构原理可以用于产生及加速离子。在栅极加速器的情况中,带正电的离子用一栅极结构从等离子体中被抽出,其中与等离子体室接界的一第一栅极处于阳极电位,在离子束出口方向中偏移的一第二栅极处于一较负的阴极电位,该带正电的离子在两栅之间被静电加速。这种结构安排例如揭示在美国专利3,613,37...
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