技术编号:8193933
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明属于单晶生长技术领域,特别是涉及感应加热物理气相传输生长单晶的 装直。背景技术感应加热物理气相传输法生长单晶时,需要使用高熔点材料(例如高纯石墨、金属钽、钨等)制作坩埚,用来盛装料源(放在埚底)和籽晶(装在埚盖内表面)。目前一般都是用一个坩埚(以下简称为“单坩埚”),既作发热体、又作生长腔,结构比较简单。但是,为了满足发热和温场的要求,单坩埚的尺寸需要做得比单纯装料所需的坩埚尺寸大很多,而取出生成的单晶时,一般只能破坏坩埚。因此,单坩埚只能一次性使用,这导致高熔点坩埚材料消耗大、坩埚成本高。另外,单坩...
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