技术编号:8194476
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及硅外延生长技术领域,特别是涉及ー种单片炉外延层厚度均匀性生长的控制方法。背景技术外延是在表面平整的单晶硅片上通过化学气相反应沉积一定厚度的单晶硅层,化学反应是SiHCL3+H2 = Si (沉积)+HCL。外延根据反应炉型不同可以分为桶式反应腔体炉(一个炉次可以在类似桶的基座上放14片);平板式反应腔体炉(一个炉次可以在类似平板的基座上放18片);单片式反应腔体炉(一个炉次只能在平板的基座上放I片硅片)。 应用材料Centura200型号的是单片式反应腔体炉,如图I所示,该腔体由“上部石英圆盖”和...
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