技术编号:8194552
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及光电材料领域,具体是ー种硒化锌单晶体生长方法及其生长容器。背景技术硒化锌(ZnSe)单晶体是ー种II-VI族宽禁带化合物半导体材料,由于其优秀的物理化学性质,在蓝光半导体发光器件、非线性光电器件、核辐射探測器件和近紫外-可见光探測器件方面具有重要的应用前景。但由于硒化锌具有1526°C的高熔点,高温时两种组元蒸气压很大、晶体热导率低、生长时需采用符合化学计量比的高纯度硒化锌粉末原料,因此,制备大尺寸的硒化锌单晶体存在困难,生长硒化锌晶体成本很高。目前硒化锌单晶的制备方法主要有熔体法、高温溶液法、固...
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