技术编号：8194737
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及ー种降低铸锭硅单晶晶体缺陷的方法。背景技术通过具有特定晶向的籽晶来诱导生长铸锭单晶硅是近年来在光伏硅电池领域得到了大幅应用的ー种技木。但是由于现有大規模商业化的单晶提拉技术最大只能得到直径为12英寸的单晶棒，开方切割后所能提供的籽晶面积较小，在边长为800mm的铸锭坩埚底部摆设时，必然会需要3 25块或更多的籽晶块。硅块属于脆性强、延展性很差的材料，在加工时很难保持表面的绝对平整，并且铸锭エ艺中所用的陶瓷坩埚底部平整度较差，一般为20±2mm，在籽晶块摆放时必然会出现宽度为O. r5mm的缝隙。在...
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