技术编号：8194879
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明属于单晶硅制造技术领域，涉及ー种去除单晶硅埚底料中石英的装置，本发明还涉及ー种采用恒温水浴法去除单晶硅埚底料中石英的方法。背景技术目前，在处理直拉单晶硅埚底料时，使用氢氟酸在室温条件下浸泡去除埚底料粘附的石英，使其达到太阳能级硅单晶原料的纯度要求，从而有效利用这部分埚底料。现有技术条件下，在使用氢氟酸浸泡过程中，由于室温温度过低，氢氟酸与埚底料反应速度过慢，反应周期长，工作效率低，且反应时间过长易发生副反应，埚底料的回收质量差。 发明内容本发明的目的是提供一种去除单晶硅埚底料中石英的装置，解决了现有技...
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