技术编号：8195093
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及ー种无机纳米材料，特别涉及，属于纳米技术领域。背景技术碳化硅(SiC)材料是ー种宽带隙半导体材料，具有禁带宽度大、击穿电压高、电子饱和漂移速度高、电子迁移率高、热导率高、介电常数小、抗辐射能力强、化学稳定性好 等优良的物理化学性质。与常规SiC材料相比，SiC纳米线除保留其本体材料的本征性质外，还由于其具有纳米尺寸效应，以及表现出的晶体结构多型性，缺陷的特殊组态以及特定的形貌，使其在光、电、热、磁及机械性能等方面展现出不同于常规SiC材料的奇特性质，成为现在和未来高温、高辐射等恶劣环境下工作的纳米...
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