技术编号：8195168
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明大体涉及电子学，更具体地，涉及形成半导体器件及结构的方法。背景技术在过去，半导体工业利用各种方法和结构来形成用于发光二极管(LED)的控制电路。一些LED控制器利用连接在高端结构中的P-沟道金属氧化物半导体(MOS)晶体管，以便调整施加给LED的电压的值。P-沟道MOS晶体管通常导致增加成本的较大的芯片尺寸。在其他结构中，N-沟道MOS晶体管连接在低端结构中以控制LED。低端结构将负载连接至电源。如果低端结构的输出意外地变得与另一连接短路，大电流就会流过负载并损害负载。在称为LP3936的部件的数据页...
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