技术编号:8195330
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种生长晶体的方法,具体涉及。背景技术氧化锌是一种具有宽带隙的直接禁带半导体材料,其室温下单晶的禁带宽度为3.37eV、激子束缚能(exciton-binding energy)高达60meV,远高于GaN的激子束缚能(25mev),非常适宜作为长寿命白光LED的激发光源材料。氧化锌基的LED —旦进入商业化应用阶段,氧化锌基同质外延基片的市场需求将十分巨大。氧化锌和GaN都具有六方纤锌矿型晶体结构,晶格常数非常接近,晶格失配度较小( 2. 2%),相比于GaN体单晶,氧化锌资源更丰富、生长成本更...
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