技术编号：8195527
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种用于直拉硅单晶炉的块状多晶硅加料装置。背景技术制造硅单晶主要采用直拉法(Czochralski法)，硅单晶的生长在直拉硅单晶炉内完成。使用现在常用的直拉硅单晶炉生长硅单晶时为了降低能耗、提高单炉产量和质量普遍使用再加料技术，具体的操作方法是先将所用坩埚内装满块状或颗粒状多晶硅，再经抽 真空、多晶硅融化，熔体温度稳定、晶种和熔体熔接、细颈生长、肩部生长、等径生长、收尾等步骤生长出第一根硅单晶，坩埚内剩余约1/3的硅熔体，硅单晶以设定的拉速被提拉进入副炉室的同时被冷却到200-300°C，在硅单晶...
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