技术编号:8195671
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域、本发明涉及金属有机物化学气相外延MOCVD生长设备技术领域,为一种用于MOCVD设备GaN外延MO源供给系统,特别适合于UV-LED,UV-LD的GaN及其相关材料生长的MOCVD设备系统,可用于使用具有挥发性的高纯金属有机物MO源的所有CVD,HVPE以及MBE等半导体材料生长设备之中。背景技术MOCVD是以III族、II族元素的金属有机化合物和V、VI族元素的氢化物等作为晶体生长源材料,以热分解反应方式在衬底上进行气相外延,生长各种III-V族、II-VI族化合物半导体以及它们的多元固溶体的薄层单晶材...
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该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。