技术编号：8196112
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及微电子与光伏技术领域，特别涉及光伏技术中太阳能电池用晶体硅片表面织构工艺。背景技术晶体硅表面织构一般在碱性水溶液中实现，目前，在微电子和光伏电池行业，对晶体硅表面织构，应用最广泛的腐蚀溶液是KOH (或NaOH)、水和异丙醇(IPA)的混合物，腐蚀剂的浓度、腐蚀时间、腐蚀温度对硅片表面的形貌和表面反射率起着决定性的影响，例如， 当KOH浓度大于25%、腐蚀温度大于80°C时，得到的是一个平整的表面，主要用来去除硅片表面的损伤层和硅片的减薄处理；当NaOH浓度小于5%，温度在70 80°C之间时，可...
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