晶体生长炉用发热装置及刚玉单晶生长炉的制作方法技术资料下载

技术编号:8196260

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技术领域本发明涉及晶体生长炉用发热装置,还涉及具有该发热装置的刚玉晶体生长炉。背景技术无色刚玉单晶广泛应用在光电子及微电子行业中,它具有优异的光学性能和物理强度,是国内外先进及科技领域中的基础材料,无色刚玉单晶熔点2050°C,对生长环境温度极为敏感,对环境内的保温材料及发热材料的几何形状有严格的限制,申请公布号为CN102345161A申请公布日为2012. 02.08的中国专利申请文件公开了一种晶体生长炉的加热装置,加热器呈筒形,包括一端呈环形分布的多个电极、另一端的连接环,每个电极上均设有钨丝网,各钨丝网的另...
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