技术编号:8196646
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明属于半导体材料技术领域,涉及氧化物半导体薄膜的制备,具体地说是一种。背景技术 ZnO是直接宽带隙II-VI族半导体材料,其能带宽度为3.37eV,室温激子束缚能高达60meV,理论上可以用其得到高效紫外(UV)发光。ZnO与GaN具有相似的晶格结构及禁带宽度,但ZnO原料价格便宜、容易获得,而且比GaN具有更高的熔点,熔点在1975℃。ZnO室温激子束缚能为60meV。由于室温激子柬缚能远高于室温热离化能25meV,也远高于GaN的激子束缚能28meV,使得ZnO在室温下能以较低的能量产生激光。ZnO...
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