技术编号：8197149
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本实用新型涉及一种溶液法晶体生长过程中可显微实时直接观察 和分析的设备系统，特别是一种适用于实时观察各种水溶性晶体、有 机晶体生长表面形貌的显微实时直观式溶液法晶体生长装置，用于观 察晶体生长表面的显微结构和形貌特征，分析晶体的生长机理和显微 尺度的晶体缺陷形成过程。技术背景晶体生长机理的研究在过去100多年时间内，经历了晶体平衡态 理论、界面生长理论和PBC (周期键链)理论3个阶段。上海硅酸盐研 究所的仲维卓于20世纪90年代初提出了负离子配位多面体生长基元理 论模型[张学华，罗豪甦，仲维卓.负离子配位...
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