技术编号：8197714
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及在设置在反应器工艺室中基座上的一个或者多个衬底特别 是结晶衬底上沉积一个或者多个层特别是结晶层的设备，其中可被工艺室 加热装置主动加热的工艺室壁位于可被基座加热装置主动加热的基座对 面，并且提供气体入口元件以将工艺气体引入到所述工艺室中，并且所述 工艺室加热装置具有冷却剂通道并且在所述工艺室壁的主动加热期间位于 离所述工艺室壁的外部一段距离处。本发明还涉及在设置在反应器工艺室中基座上的一个或者多个衬底(6) 特别是结晶衬底上沉积一个或多个层特别是结晶层的方法，其中，将所述 基座主动加热至超过100...
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