技术编号：8198822
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明属于微电子和光电子用化合物半导体材料制备技术领域，是有关退火处理降低铟磷(InP)单晶中的热应力和改善晶体的电学均匀性的技术，特别是指一种。背景技术 InP单晶是一种制造微波器件、光纤通信用光电子器件等的重要衬底材料。生长出的InP单晶需要切割成标准尺寸的晶片，然后经过倒角、研磨、抛光、清洗等加工过程，成为商品晶片供用户使用。在整个加工过程中，保持晶片的机械强度、避免碎裂对于提高生产成品率、降低成本是至关重要的。目前，缺乏有关晶体退火处理，降低残留热应力和提高材料的电学均匀性的可靠技术工艺。发明内容本...
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