技术编号：8198961
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本公开一般涉及包括Sn(锡)膜的电子组件，并且更具体地说，涉及在Sn膜中晶 须形成的抑制。背景技术在Sn(锡)膜中“晶须”的形成是具有重大研究兴趣的主题。多种电子装置具有 十年或更长的预期操作寿命。而晶须可以在数月或更短的时段中形成。已经观察到一些晶 须达到几毫米的长度。诸如这些之类的晶须由于形成不希望的导电路径(短路)或对于诸 如磁盘驱动器之类的颗粒敏感装置引起机械损坏的可能性，在电子系统中呈现显著的可靠 性危险。已经长久地知道，将Sn与铅(Pb)熔合成合金减少Sn晶须的形成。然而，对于 Pb的不利生态影...
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