技术编号：8199467
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明属于半导体材料制备技术领域，涉及一种硅单晶生长的热场。 背景技术硅单晶是制造集成电路和太阳能电池的主要原料，硅单晶的制备(生长) 是将块状多晶原材料放入真空工作室中的坩埚内，通过加热器加热将多晶原 材料熔化，然后，通过籽晶引导，生长成理想的硅单晶，同时从真空工作室 上部充入工艺气体，并由工作室底部抽出排放，满足生长工艺要求。但硅单 晶生长过程中产生的大量挥发物，沾附于系统关键零件加热器、坩埚和内保 温筒上，并对真空工作室造成污染，严重影响了工作室中各部件的使用寿命， 同时影响到硅单晶的品质。 发明内容...
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