技术编号：8199482
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及一种吸波材料及其制备方法，特别涉及一种低密度菊花状 ZnO纳米线簇吸波材料及其制备方法。 背景技术ZnO作为一种典型的直接带隙宽禁带半导体材料，集光、电、热、磁 等特性于一身，且具有无毒、很高的化学和热稳定性等优点，通常ZnO的 密度是5.61 g/cm3。研究表明，低密度菊花状ZnO纳米线簇吸波材料是一 种新型纳米吸波材料，由于具备独特的三维菊花状结构的ZnO纳米线簇很 容易形成空间导电网络，且纳米线间存在着较强的电磁耦合作用，以及纳 米材料的小尺寸效应、表面效应、量子尺寸效应、和宏观量子隧道效...
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