技术编号：8199489
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明属于半导体薄膜生长以及P型掺杂等领域，涉及一种半导体薄膜生长、p型掺杂的最新方法，特别涉及一种利用掺杂磷酸锌的氧化锌高温烧结的陶瓷靶材，使用激光分子束外延技术生长p型氧化锌薄膜的最新技术。背景技术氧化锌材料是一种宽禁带II-VI族直接带隙紫外半导体材料。由于它有较宽的禁带宽度(3.37eV)，因此有很好的耐高温、抗辐射等性能；另外，它的室温激子束缚能较高(60meV，大于室温24meV)，因此被寄希望在室温下可以实现自由激子碰撞，从而产生紫外激光发射，这种激光产生模式可以大大降低激光器的阈值，减小能耗...
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