技术编号:8199852
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明属于半导体制备方法,尤其涉及一种GaN基材料外延层生长制 备方法。 背景技术III族氮化物半导体材料,包括GaN、氮化铟(InN)、氮化铝(A1N)、铟 镓氮(InGaN)、铝镓氮(AlGaN)和铝铟镓氮(AlInGaN)等,物理化学性 能优良,适宜制作半导体光电子和电子器件的材料。通过调整合金成分, GaN基材料可以获得0. 7 6. 2 eV的连续可调的带隙能量,其带隙的对应波 长覆盖了从紫外(200 mn)到红外(1771 nm)的光谱范围,是短波长光电子器 件及高温、高频、大功率微电子器件制备...
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