技术编号：8200391
提示：您尚未登录，请点 登 陆 后下载，如果您还没有账户请点 注 册 ，登陆完成后，请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明涉及Si3N4单晶的制备方法。 背景技术卩-Si3N4单晶的抗拉强度达30 50GPa，能够耐1400°C以上高温，其晶体 结构决定了 (3-Si3N4单晶可生长成为高长径比的棒状晶，作为陶瓷、金属及塑 料基复合材料的增强相，其强韧化效果可与SiC晶须相比。名称为"自蔓燃合成法制备高(3相氮化硅棒状晶须的方法(中国专利申请 号200710114558.2，申请日2007年12月28日，公开日2008年10月08日)"和名称为"自蔓延高温合成制备(3-氮化硅晶须的方法(中国专利号ZL01126概4，申请...
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