技术编号:8200526
提示:您尚未登录,请点 登 陆 后下载,如果您还没有账户请点 注 册 ,登陆完成后,请刷新本页查看技术详细信息。技术领域本发明属于半导体纳米线阵列的制备技术领域,特别涉及一种制备SiC纳米线阵列的方法。 背景技术纳米线是一维纳米材料的一种。 一维纳米材料相对于传统材料呈现出很 多奇特的性质,在介观领域和纳米器件研制方面显示出重要的作用。例如, 它们可用作扫描隧道显微镜的针尖、各种传感器、微电极和超大集成电路中的连线、光导纤维、微型钻头等。SiC是一种宽带系(2.3eV)半导体材料, 具有一系列的优异性能,如抗氧化、耐化学腐蚀、热传导率高、热稳定性高 等。而一维SiC纳米材料则以其独特的物理和电子学特性,受到广泛的关注。 作为...
注意:该技术已申请专利,请尊重研发人员的辛勤研发付出,在未取得专利权人授权前,仅供技术研究参考不得用于商业用途。
该专利适合技术人员进行技术研发参考以及查看自身技术是否侵权,增加技术思路,做技术知识储备,不适合论文引用。